Home > Publications database > Complex semiconductors: Atomic-scale structure and band gap > print

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502 _ _ |c University of Jena
520 _ _ |a Komplexe Verbindungshalbleiter wie (In,Ga)P oder Cu(In,Ga)Se2 finden immer stärkere Verbreitung in elektronischen und optoelektronischen Anwendungen, da viele der entscheidenden Materialeigenschaften über die Zusammensetzung gezielt optimiert werden können. Oft weicht jedoch die kurzreichweitige atomare Struktur stark von der langreichweitigen kristallographischen Struktur ab. Das beeinflusst wichtige Eigenschaften des Materials, wie zum Beispiel die Bandlücke. Mit Hilfe der Röntgen¬absorptions¬spektroskopie können die atomaren Strukturparameter elementspezifisch bestimmt werden. Darüber hinaus liefert das Verfahren die Kraftkonstanten für das Strecken und Biegen der Bindungen, welche der Struktur des Materials sowie dem Schwingungsverhalten der Atome zu Grunde liegen. Im Vortrag werden die Ergebnisse verschiedener Messungen und Simulationen an (In,Ga)P, Cu(In,Ga)Se2 sowie verwandter Systeme vorgestellt. Neben der atomaren Struktur und den Kraftkonstanten wird auch der Einfluss der Anionenposition auf die Bandlücke diskutiert.
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Marc 21