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@INPROCEEDINGS{Schnohr:191844,
      author       = {Schnohr, Claudia and Eckner, S. and Kämmer, H. and
                      Steinbach, T. and Gnauck, M. and Johannes, A. and Rissom, T.
                      and Kaufmann, C. A. and Stephan, C. and Schorr, S.},
      title        = {{C}omplex semiconductors: {A}tomic-scale structure and band
                      gap bowing},
      school       = {Univeristy of Jena},
      reportid     = {PUBDB-2014-04032},
      year         = {2014},
      abstract     = {Eines der vielversprechendsten Materialsysteme im Bereich
                      der Dünnschichtphotovoltaik ist der komplexe
                      Verbindungshalbleiter Cu(In,Ga)(Se,S)2, mit dem bereits
                      Spitzenwirkungsgrade von über $20\%$ nicht nur auf
                      Glassubstraten sondern auch auf flexiblen Polymerfolien
                      erreicht wurden. Cu(In,Ga)(Se,S)2 kristallisiert in der
                      Chalkopyrit-Struktur, wobei die Position des Anions auf
                      Grund der unterschiedlichen Eigenschaften der benachbarten
                      Kationen von der idealen Gitterposition abweichen kann. Eine
                      solche Anionendeplatzierung hat einen großen Einfluss auf
                      die Bandlücke des Materials und somit auf die Effizienz der
                      Solarzellen. Aus diesem Grund haben wir die atomare Struktur
                      von Cu(In,Ga)Se2 und Cu(In,Ga)S2 mit
                      Röntgenabsorptionsspektroskopie und
                      Valenzkraftfeld¬simulationen als Funktion der
                      Zusammensetzung untersucht. Die lokale Anordnung der Atome
                      weicht demnach stark von der langreichweitigen
                      kristallographischen Struktur ab und das Material weist
                      erstaunliche strukturelle Inhomogenitäten auf der
                      Nanometerskala auf. Bei der Anionenposition müssen zwei
                      verschiedene Deplatzierungsmechanismen unterschieden werden,
                      die auf unterschiedliche Weise zur nichtlinearen
                      Abhängigkeit der Bandlücke von der Zusammensetzung
                      beitragen. Die Berücksichtigung dieser bemerkenswerten
                      strukturellen Eigenschaften ist somit für eine korrekte
                      Modellierung und ein umfassendes Verständnis dieser
                      technologisch wichtigen Verbindungshalbleiter zwingend
                      erforderlich.},
      month         = {Sep},
      date          = {2014-09-21},
      organization  = {German Conference on Research with
                       Synchrotron Radiation, Neutrons and Ion
                       Beams at Large-Scale Facilities
                       (Deutsche Tagung für Forschung mit
                       Synchrotronstrahlung, Neutronen und
                       Ionenstrahlen an Großgeräten) SNI
                       2014, Bonn (Germany), 21 Sep 2014 - 23
                       Sep 2014},
      cin          = {DOOR},
      cid          = {I:(DE-H253)HAS-User-20120731},
      pnm          = {DORIS Beamline C (POF2-54G13) / FS-Proposal: I-20110135
                      (I-20110135) / FS-Proposal: I-20100027 (I-20100027)},
      pid          = {G:(DE-H253)POF2-C-20130405 / G:(DE-H253)I-20110135 /
                      G:(DE-H253)I-20100027},
      experiment   = {EXP:(DE-H253)D-C-20150101},
      typ          = {PUB:(DE-HGF)6},
      url          = {https://bib-pubdb1.desy.de/record/191844},
}