000093696 001__ 93696
000093696 005__ 20220602210431.0
000093696 0247_ $$2WOS$$aWOS:00
000093696 037__ $$aPHPPUBDB-12280
000093696 041__ $$aEnglish
000093696 1001_ $$aBak-Misiuk, J.
000093696 1101_ $$aDESY$$bExperiments with synchrotron radiation
000093696 245__ $$aFerromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
000093696 260__ $$aSt. Petersburg$$bFiziko-techničeskij institut im. A.F. Ioffe Rossijskoj akademii nauk$$c2009
000093696 300__ $$a32-40
000093696 3367_ $$2DRIVER$$aarticle
000093696 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Journal article
000093696 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)16$$2PUB:(DE-HGF)$$aJournal Article$$bjournal$$mjournal$$s1654171846_6036
000093696 3367_ $$2BibTeX$$aARTICLE
000093696 3367_ $$2ORCID$$aJOURNAL_ARTICLE
000093696 3367_ $$00$$2EndNote$$aJournal Article
000093696 440_0 $$aHigh Press. Phys. Tech.$$v19$$x0000-0000$$y2
000093696 500__ $$3Converted on 2013-05-30 14:49
000093696 500__ $$3Converted on 2013-06-21 19:21
000093696 520__ $$aWe report the results of defect structures studies of silicon implanted at different temperatures with Mn ions (Si:Mn) and of GaMnAs layers, next annealed under ambient and high pressures. An influence of annealing conditions on structural properties of Si:Mn and GaMnAs layers was investigated. It has been confirmed that annealing of the Si:Mn samples after implantation results in crystallization of silicon inside the buried postimplanted layer, as well as in the formation of ferromagnetic Mn4Si7 precipitates. A change of strain in the GaMnAs layer, from the compressive to the tensile one, related to a creation of nanoclustered MnAs, was found to be dependent on processing conditions and primary existing structural defects, while independent of the Mn concentration. An influence of primary defects on the structural transformations of the GaMnAs layer is discussed. Приведено результати вивчення дефектних структур шарів кремнію, імплантованого іонами Mn (Si:Mn) при різних температурах, і GaMnAs з подальшим відпалом при зовнішньому і високому тиску. Досліджено вплив умов відпалу на структурні властивості шарів Si:Mn і GaMnAs. Показано, що відпал імплантованих зразків Si:Mn призводить до кристалізації кремнію усередині заглибленого постімплантованого шару, а також до утворення феромагнітних Mn4Si7-виділень. Виявлено, що зміна в GaMnAs-шарі напруження з того, що стискає, на те, що розтягує, пов'язана з утворенням нанокластерів MnAs, залежить від умов обробки і початкових дефектів структури і не залежить від концентрації Mn. Обговорюється вплив первинних дефектів на структурні перетворення в шарі GaMnAs.
000093696 536__ $$0G:(DE-H253)POF1-W1-20130405$$aDORIS Beamline W1 (POF1-550)$$cPOF1-550$$fPOF I$$x0
000093696 693__ $$0EXP:(DE-H253)D-W1-20150101$$1EXP:(DE-H253)DORISIII-20150101$$6EXP:(DE-H253)D-W1-20150101$$aDORIS III$$fDORIS Beamline W1$$x0
000093696 7001_ $$aRomanowski, P.
000093696 7001_ $$aDomagala, J. Z.
000093696 7001_ $$aMisiuk, A.
000093696 7001_ $$aDynowska, E.
000093696 7001_ $$aLusakowska, E.
000093696 7001_ $$aBarcz, A.
000093696 7001_ $$aSadowski, J.
000093696 7001_ $$aCaliebe, W.
000093696 773__ $$0PERI:(DE-600)2928608-6$$gVol. 19, p. 32-40$$p32-40$$q19<32-40$$tФизика и техника полупроводников$$v19$$x0015-3222$$y2009
000093696 85640 $$uhttp://dspace.nbuv.gov.ua:8080/dspace/handle/123456789/5986
000093696 8564_ $$uhttp://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/5986$$yOpenAccess
000093696 8564_ $$uhttps://bib-pubdb1.desy.de/record/93696/files/05-Bak-Misiuk.pdf$$yOpenAccess
000093696 8564_ $$uhttps://bib-pubdb1.desy.de/record/93696/files/05-Bak-Misiuk.jpg?subformat=icon-1440$$xicon-1440$$yOpenAccess
000093696 8564_ $$uhttps://bib-pubdb1.desy.de/record/93696/files/05-Bak-Misiuk.jpg?subformat=icon-180$$xicon-180$$yOpenAccess
000093696 8564_ $$uhttps://bib-pubdb1.desy.de/record/93696/files/05-Bak-Misiuk.jpg?subformat=icon-640$$xicon-640$$yOpenAccess
000093696 909CO $$ooai:bib-pubdb1.desy.de:93696$$pdnbdelivery$$pdriver$$pVDB$$popenaire$$popen_access
000093696 915__ $$0StatID:(DE-HGF)0510$$2StatID$$aOpenAccess
000093696 915__ $$0StatID:(DE-HGF)1$$2StatID$$aNo Author Disambiguation
000093696 9141_ $$y2009
000093696 9101_ $$0I:(DE-588b)2008985-5$$aDeutsches Elektronen-Synchrotron$$kDESY
000093696 9101_ $$0I:(DE-HGF)0$$aExternes Institut$$kExtern
000093696 9131_ $$1G:(DE-HGF)POF1-550$$2G:(DE-HGF)POF1-500$$3G:(DE-HGF)POF1$$4G:(DE-HGF)POF$$9G:(DE-H253)POF1-W1-20130405$$aDE-H253$$bStruktur der Materie$$lGroßgeräte für die Forschung mit Photonen, Neutronen, Ionen$$x0
000093696 920__ $$k101
000093696 9201_ $$0I:(DE-H253)HASYLAB_-2012_-20130307$$kHASYLAB(-2012)$$lExperiments with synchrotron radiation$$x0
000093696 920_1 $$iExperiments with synchrotron radiation$$kHASYLAB
000093696 980__ $$ajournal
000093696 980__ $$aVDB
000093696 980__ $$aI:(DE-H253)HASYLAB_-2012_-20130307
000093696 980__ $$aUNRESTRICTED
000093696 9801_ $$aFullTexts