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DFG project G:(GEPRIS)149710363

Untersuchungen der Eigenschaften von integrierten Bildsensorarrays in CMOSTechnologie auf einkristallinen gedünnten flexiblen Siliziumchips

CoordinatorProfessor Dr. Anton Grabmaier ; Professor Dr. Wilfried Mokwa
Grant period2009 - 2014
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)149710363

Note: Charge Coupled Devices oder CMOS-Bildsensoren werden heute mit einer hohen Auflösung in Kameras, Videokameras oder Handys eingesetzt. Auf Grund der Waferdicke sind die Bildsensorchips starr, deshalb bleibt ihr Einsatz zurzeit auf die herkömmliche Bildaufnahme beschränkt. Wird Silizium auf Dicken < 30 μm gedünnt, wird es flexibel. Flexible CMOS-Bildsensoren würden das Anwendungsspektrum wesentlich vergrößern. Sie könnten beispielsweise auf einen runden Stab aufgebracht optische Information aus dem 360°-Umfeld des Stabes aufnehmen. Ziel des Antrages ist es, die optischen und elektrischen Eigenschaften von integrierten Bildsensorarrays in CMOS-Technologie auf einkristallinen gedünnten flexiblen Siliziumchips zu untersuchen. Dabei soll einmal der Einfluss von mechanischem Stress auf die optischen Eigenschaften (spektrale Lichtempfindlichkeit, Quantenwirkungsgrad, Dunkelströme) einzelner Photosensoren und Photosensorarrays systematisch auf (100)-Wafern in Abhängigkeit von der Orientierung zum Substrat untersucht werden. Weiterhin werden die elektrischen Eigenschaften (Schwellenspannung, Ladungsträgerbeweglichkeit, Leckströme) passiver und aktiver Bauelemente sowie integrierter Schaltungen in Bezug auf mechanischen Stress charakterisiert. Ziel der Untersuchungen ist die Bauelemente- und Schaltungssimulation dieser Abhängigkeiten, die Erstellung von Schaltungskonzepten und von Designregeln, die den Einfluss von mechanischem Stress berücksichtigen und ihn nach Möglichkeit zu minimieren bzw. zu kompensieren gestatten.
   

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 Record created 2023-02-03, last modified 2024-09-27
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