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DFG project G:(GEPRIS)266999219

Dioden auf der Basis von MBE und MOVPE Oxid-Dünnfilmen

CoordinatorProfessor Dr. Marius Grundmann
Grant period2014 - 2018
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)266999219

Note: Es sollen bipolare Dioden auf der Basis von (n-Typ) CdO mit verschiedenen p-Typ Elektroden hauptsächlich aus NiO und GaN:Mg hergestellt werden. Die Epitaxie des CdO soll auf isolierenden Substraten uns p-Typ Elektroden mittels Oxid-MBE bei CNRS-CRHEA erfolgen. Die Diodencharakteristiken und eine erstmals gefundene Hysterese sollen auf der Basis einer Typ-III Heterostruktur modelliert werden.
   

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 Record created 2023-02-02, last modified 2024-09-27
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