Record #529159

DFG project G:(GEPRIS)259170530

Grenzflächenengineering zur chemischen und elektronischen Passivierung von Gruppe 3 Phosphid Halbleitern zur Anwendung in hocheffizienten photoelektrochemischen Tandemzellen für die Wasserspaltung

Coordinator	Professor Dr. Wolfram Jaegermann
Grant period	2014 - 2018
Funding body	Deutsche Forschungsgemeinschaft
	DFG
Identifier	G:(GEPRIS)259170530

Note: Das Hauptziel dieses Projektes ist die Untersuchung der physikalischen und photoelektrochemischen Prozesse, die an der Grenzfläche zwischen Gruppe 3 Phosphid Halbleitern (InP, GaP, GaInP2) und Wasser bzw. wässrigem Elektrolyten stattfinden. Ein Verständnis dieser Prozesse ermöglicht es dann die Eigenschaften dieser Systeme zu steuern. Dafür ist die Erforschung der elektronischen Struktur der Oberflächen von 3-5 Verbindungen und ihrer Mischkristalle notwendig, um durch gezielte Oberflächenmodifikation die elektronischen Eigenschaften der Halbleiteroberflächen zu optimieren und eine Anpassung der Oberflächenpotentiale an die Redoxpotentiale der photoelektrochemischen Reaktionspartner zu erreichen.�Ziel ist es, die für die Anpassung der elektronischen Zustände des Halbleiters an die katalytischen Zentren und an die Wasserstoff und Sauerstoff Redoxpotentiale im Elektrolyten zugrundeliegenden Gesetze aufzudecken. Des weiteren müssen mögliche Techniken für die chemische und elektronische Passivierung der Halbleiteroberfläche und der Halbleiter / Elektrolyt Grenzfläche durch geeignete wenige atomare Lagen dünne Pufferschichten erforscht werden. Schließlich soll die Halbleiter/Passivierungsschicht/Cokatalysator/Elektrolyt Grenzfläche untersucht und optimiert werden, was eine Schritt für Schritt Vorgehensweise erfordert.

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Record created 2023-02-02, last modified 2024-09-27

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