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SFB 1083 A01
Metallorganische Gasphasenepitaxie von Halbleiter-Heterostrukturen und grenzflächen (A01)
| Coordinator | Professor Dr. Wolfgang Stolz |
| Grant period | 2013 - 2021 |
| Funding body | Deutsche Forschungsgemeinschaft |
| DFG | |
| Identifier | G:(GEPRIS)241799167 |
⇧ SFB 1083: Struktur und Dynamik innerer Grenzflächen ⇧
Note: In diesem Projekt werden definierte Grenzflächen in III/V-Verbindungshalbleiterhetero-Strukturen mittels der erarbeiteten Metallorganischen Gasphasenepitaxie bei tiefen Temperaturen hergestellt und untersucht. Die erfolgreichen Studien an GaP/(001)Si als Modell-system für eine gitterangepasste, polar/nichtpolare Grenzfläche wird auf die GaP/(211)Si-,AlP/(001)Si, GaAs/(001)Ge- und (GaIn)P/(001)Ge-Grenzflächen-Konfigurationen ausgedehnt. Der Einfuss der Verspannung auf die Grenzflächenbildungsmechanismen wird an verspannten (GaIn)As/(GaInP)-Heterostrukturen aufgeklärt. Darüber hinaus werden spezielle metastabile, vielkomponentige (GaIn)(NAsSb)-basierte Heterostrukturen mit Typ-II-Bandanordnung für fundamentale Studien von "Charge Transfer"-Anregungen, als auch für mögliche Anwendungen in kantenemittierenden Laserstrukturen optimiert.