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2021-12-03
15:24
[PUBDB-2021-05083] Patent
; ; ; et al
Methods and Apparatus for Mode-Locking on-Chip Lasers
 GO
An artificial saturable absorber uses additive pulse mode-locking to enable pulse operation of an on-chip laser operationFour different artificial saturable absorbers are disclosed. The first includes an integrated coupler, two arms each containing someimplementation of the end-reflector, and a phase bias element in one arm. [...]
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2020-01-23
13:48

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2020-01-23
13:45

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2019-12-11
13:37
[PUBDB-2019-05004] Patent
; ; ; et al
Yb: and Nd: mode locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems
 GO
The invention describes classes of robust fiber laser systems usable as pulse sources for Nd: or Yb: based regenerative amplifiers intended for industrial settings. The invention modifies adapts and incorporates several recent advances in FCPA systems to use as the input source for this new class of regenerative amplifier..
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2019-09-02
16:01
[PUBDB-2019-03180] Patent
; ; ; et al
Multi-crystal analyzer detector system for use as detector in synchrotron for analysis of powders, has beam limiting device, which divides overall beam into individual beams and absorbs scattered radiation
 GO
The multi-crystal analyzer detector system has two beam limiting devices, two collimators (2,3) and detectors, which are connected with evaluation devices. The beam limiting device divides an overall beam into individual beams and absorbs the scattered radiation. [...]
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2017-10-24
15:46
[PUBDB-2017-11537] Patent
; ; ; et al
Verfahren und Monitordetektor zur Bestimmung der Intensität von gepulster VUV - oder EUV- Strahlung sowie Verwendung eines derartigen Monitordetekors
 GO
Hauptanspruch: Verfahren zur Bestimmung der Intensität von hochenergetischer, gepulster VUV- oder EUV-Strahlung mit folgenden Verfahrensschritten: - Durchstrahlung einer mit Gas bei einem definierten Druck <10^-4 hPa gefüllten Wechselwirkungszone (3) in eienr definierten Strahlrichtugn 1 zur Bildung von Photoelektronen und Photoionen,- Beschleunigung der Photoionen und Photoelektronen in einem definierten Winkel zur Strahlrichtung (1) durch ein elektrisches Feld derart, dass dadurch keine Ladungsvervielfachung entsteht, - seperate Detektion der beschleunigten Photoelektronen und der beschleunigten Photoionen und - Bildung eines gemittelten Detektionssignals für die generierten Photoionen als kalibrierbares Signal und eines pulsaufgelösten Detektionssignals für die generierten Photoelektronen
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2017-09-15
11:17
[PUBDB-2017-10799] Patent
; ; ; et al
European Patent EP 13183166, USA Appl. No. 14475800, PCT/EP2014/068997 Japan
 GO
Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen magnetoelektronischen Vorrichtung sowie magnetoelektronische Vorrichtung
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2017-09-15
10:38

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2016-12-20
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2015-02-05
10:21
[PUBDB-2015-01320] Patent

Method of Producing a Multilayer Magnetoelectronic Device
 GO
A new deposition method allows to produce spintronic multilayer devices with freely adjustable magneto-resistive properties. Custom-made thin film layer systems can be applied in information and data storage technology, sensor technology and will stimulate basic science..

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